ハイブリッドエッチング・二流体現像 - 東京化工機株式会社

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ハイブリッドエッチング・二流体現像

スプレイ技術

ハイブリッドエッチング・二流体現像

二流体現像機(特許取得済)

二流体現象処理によるSEM及び断面写真

二流体現象処理によるSEM及び断面写真

ハイブリッドエッチング機(特許取得済)

  • ハイブリッド・二流体
  • ハイブリッド・二流体

 

ハイブリッド・二流体

Line/space/Cu thickness = 20μm/20μm/12μm

基板周辺部断面

基盤周辺部断面

平均上面下面
膜厚 12.5μm 12.4μm
Top 17.3μm 16.0μm
Bottom 20.2μm 19.6μm
E.F 8.6 6.9
基板中央部断面

基盤中央部断面

平均上面下面
膜厚 11.2μm 12.4μm
Top 14.7μm 15.5μm
Bottom 19.0μm 19.7μm
E.F 5.2 7.8

Line/space/Cu thickness = 30μm/30μm/18μm

基板周辺部断面

基盤周辺部断面

平均上面下面
膜厚 18.4μm 17.7μm
Top 24.6μm 22.3μm
Bottom 27.6μm 24.6μm
E.F 12.3 15.4
基板中央部断面

基盤中央部断面

平均上面下面
膜厚 18.6μm 17.3μm
Top 20.0μm 21.0μm
Bottom 22.7μm 24.4μm
E.F 13.8 10.2

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